晶圓龍頭臺(tái)積電先進(jìn)制程技術(shù)躍進(jìn)一大步，看好快充電源管理IC市場潛力，協(xié)同合作伙伴Dialog半導(dǎo)體，將于明年第1季推出首顆氮化鎵（GaN）手機(jī)快充芯片，挑戰(zhàn)目前快充芯片龍頭德儀（TI）及恩智浦（NXP）霸主地位。

　　喧騰已久氮化鎵制程，臺(tái)積電終于宣布跨入氮化鎵先進(jìn)制程，為合作客戶德商Dialog量身打造，采用6寸、0.5微米、650V矽上氮化鎵（GaN-On-Silicon）制程技術(shù)，生產(chǎn)首顆氮化鎵手機(jī)快充芯片，預(yù)計(jì)在明年第1季產(chǎn)出，該芯片具備體積縮小、效能提高、充電時(shí)間減半等優(yōu)勢，適用于手機(jī)及平板等移動(dòng)快充，將挑戰(zhàn)業(yè)界霸主德儀、恩智浦龍頭地位。

　　智能手機(jī)配備快充已是目前各大國際品牌手機(jī)廠必備功能，相關(guān)電源管理IC解決方案的國際芯片大廠德儀、恩智浦及英飛凌等早已備妥相關(guān)電源管理IC方案，推出芯片多以氮化鎵制程生產(chǎn)，此次，臺(tái)積電與戴格樂合作，除了挑戰(zhàn)霸主地位，更展現(xiàn)臺(tái)積電在氮化鎵制程成熟技術(shù)，向相關(guān)電源管理IC廠客戶招手。

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