加速度傳感器負責(zé)對動車組的失穩(wěn)、車廂舒適度和走行部件健康狀態(tài)進行檢測，廣泛應(yīng)用于軌道交通系統(tǒng)。

“要保證動車組高速平穩(wěn)行駛，首先要由加速度傳感器對來自X（軸）、Y（徑）和Z（垂）向的應(yīng)力進行實時監(jiān)測，并將電信號傳輸給列車指揮系統(tǒng)�！北本┙煌ù髮W(xué)教授秦勇告訴科技日報記者，加速度敏感器件負責(zé)完成電信號的傳輸，是高端加速度傳感器中的核心部件。

科技日報記者在采訪中了解到，由于我國傳感器產(chǎn)業(yè)長期處于產(chǎn)業(yè)鏈中下游，加速度敏感器件進口率達80%以上。

最小長度為頭發(fā)絲直徑的1/50

加速度敏感器件屬高端芯片，多采用MEMS工藝制造。

MEMS是一門綜合學(xué)科，涵蓋微尺度下的力、電、光、磁、聲、原子、表面等物理學(xué)的各分支，乃至化學(xué)、生物、醫(yī)學(xué)和儀器等各領(lǐng)域，學(xué)科交叉很強，研究難度很大。

“MEMS工藝則是在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體工藝和材料基礎(chǔ)上，利用平面硅加工工藝、體硅加工工藝等微納米技術(shù)，在硅片上制造微型機械敏感器件，并將其與對應(yīng)電路集成為一個整體的技術(shù)�！睂幉ㄖ熊嚂r代傳感技術(shù)有限公司副總經(jīng)理呂陽介紹說，相比傳統(tǒng)的厘米級機械器件，MEMS器件尺寸非常微小，長度從1毫米到1微米，而一根頭發(fā)絲的直徑大約是50微米。

硅是MEMS的主要材料，其電氣性能優(yōu)良，硅材料的強度、硬度和楊氏模量與鐵相當，密度與鋁類似，熱傳導(dǎo)率接近鉬和鎢。“一塊幾微米的MEMS傳感器芯片，要集成七八種機械配件�！眳侮栒f。

目前全球擁有整個MEMS產(chǎn)業(yè)鏈的公司基本為美日歐公司，有博世、霍尼韋爾、ST（意法半導(dǎo)體）、索尼、ALLEGRO、AKM、TDK、英飛凌等，全球市場占有率達90%以上。

國產(chǎn)MEMS器件量產(chǎn)僅有X、Y軸向

為保障高鐵的故障率僅允許的百萬分之一，高可靠性的敏感元器件，是加速度傳感器集成商的必然選擇。呂陽透露，目前世界最先進的敏感器件為三軸，標準為零點偏置±50mg甚至更小、零點溫度誤差±1mg/℃、靈敏度溫度誤差±100ppm/℃、噪聲低至30μg/√Hz，且使用壽命基本在10年以上。

相比之下，國內(nèi)規(guī)模最大、專做MEMS的企業(yè)美新，目前能形成量產(chǎn)的還是兩軸產(chǎn)品，僅能測量X、Y向。MEMS傳感器品類眾多，以萬為單位，且不同MEMS傳感器之間參量較多，消費類加速度敏感器件，不能直接應(yīng)用于高速軌道交通行業(yè)，需要進行可靠性優(yōu)化設(shè)計�！斑@種行業(yè)特性，要求企業(yè)在前期研發(fā)上必須投入巨資�！眳侮栒f，一般而言，月產(chǎn)1000萬只，才能保證MEMS傳感器市場盈虧平衡。根據(jù)調(diào)查，國內(nèi)絕大多數(shù)企業(yè)都遠低于這一規(guī)模。

秦勇認為，起步晚、研發(fā)和材料工藝落后、資金和人才嚴重匱乏，以及產(chǎn)學(xué)研脫節(jié)等，都是國內(nèi)MEMS行業(yè)發(fā)展滯緩的重要因素。

SOI工藝加工等關(guān)鍵技術(shù)已突破

高鐵產(chǎn)業(yè)需要大量傳感器，一列8編組動車組需要上千傳感器，實時采集與監(jiān)測車輛狀態(tài)數(shù)據(jù)。

到2020年，中國高鐵里程將新增5000公里，達3萬公里，而且還將提升智能化水平�！斑@意味著對加速度、角度和溫度等傳感器的巨大需求�！鼻赜卤硎�。

來自中國中車和中國鐵建消息，2019年，“復(fù)興號”智能版列車將上線運行，在世界上首次實現(xiàn)時速350公里自動駕駛；而中國鐵建電氣化局設(shè)計研發(fā)的高鐵供電線材之一，即棘輪智能在線監(jiān)測裝置，在國內(nèi)首創(chuàng)組裝高精度角度傳感器、溫度傳感器和振動監(jiān)測傳感器，其中角度傳感器測量精度±0.1°,溫度傳感器測量精度±0.1℃。

無疑，后續(xù)我國軌道交通行業(yè)仍需要大量傳感器。

“目前國產(chǎn)軌道交通裝備傳感器尚屬二代產(chǎn)品，仍以模擬量傳輸為主，易受干擾，同時在惡劣條件下發(fā)生故障后，尚無法實現(xiàn)自診斷，不具備自愈能力�！鼻赜抡f，MEMS工藝就是要實現(xiàn)信號輸出從模擬改為數(shù)字，具備自校正、自診斷、自判斷和自愈能力。

MEMS加速度傳感器國產(chǎn)化替代正緊鑼密鼓。

“相關(guān)科研院所已突破高精度SOI工藝加工、圓片級可調(diào)阻尼封裝、低功耗ASIC專用集成電路等關(guān)鍵技術(shù)。”呂陽說。

SOI工藝，指在頂層硅和襯底硅之間，引入一層二氧化硅層，起絕緣和隔離作用�；�于SOI工藝的MEMS器件具備工藝簡單、漏電流小、無閂鎖效應(yīng)、電流驅(qū)動能力強等諸多優(yōu)點。（記者 矯 陽）

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